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搜索结果: 1-15 共查到HBT相关记录16条 . 查询时间(0.059 秒)
The transverse momentum spectra, elliptic flow and interferometry radii for Pb-Pb collisions at the LHC are calculated in relativistic viscous hydrodynamics.
The transverse momentum spectra, elliptic flow and interferometry radii for Pb-Pb collisions at the LHC are calculated in relativistic viscous hydrodynamics. For Glauber model initial conditions, we f...
在对HBT高频特性实验测量数据分析比较的基础上,探讨了压焊点(Pad)底下介质容抗对HBT高频性能的影响,结论表明:Pad底下的介质容抗对HBT的高频性能影响比较明显,高频段[-20dB/decade]直线外推ft 、 fmax的规律由于介质容抗的存在会造成较大的误差而不再有效,因而等效电路模型需作相应的修正。
该文设计和制作了一款单片集成硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)低噪声放大器(LNA)。由于放大器采用复合型电阻负反馈结构,所以可灵活调整不同反馈电阻,同时获得合适的偏置、良好的端口匹配和低的噪声系数。基于0.35 μm Si CMOS平面工艺制定了放大器单芯片集成的工艺流程。为了进一步降低放大器的噪声系数,在制作放大器中SiGe器件时,采用钛硅合金(TiSi2)来减小晶体管基极电阻。由于没有...
利用相对论量子分子动力学模型RQMD,对RHIC能区s=200GeV/u Au+Au碰撞进行了2π干涉学分析,并讨论了HBT半径参数对横动量的依赖关系.研究表明,两粒子关联函数能够给出碰撞源在冻结时刻的时空拓扑信息,HBT半径参数能够较好地反映源的尺度和形状,但其对横动量的依赖关系并不能直接反映源的压缩性质,而是对粒子产生时源的空间–动量关联程度更为敏感.
低噪声混频管及集成(国内领先):开展了GaAs(InGaAs)HEMT器件及其混合集成的研究。器件方面着重亚微米栅长的微细加工技术、金属剥离及其辅助技术-图像反转光刻技术的研究等。混频电路的设计采用一小信号分析方法,即变换矩阵法分析了混频器的变频特性,利用器件的S参数及电路优化设计程序设计了匹配电路。测试结果表明:在测试频率18GHz附近(中频1.5GHz),混频增益-0.5dB-+0.5dB,单...
成功研制出具有非均匀发射极条间距结构的多发射极功率SiGe 异质结双极晶体管(HBT),用以改善功率器件热稳定性。实验结果表明,在相同的工作条件下,与传统的均匀发射极条间距结构HBT相比,非均匀发射极条间距结构HBT的峰值结温降低了15.87K。对于同一个非均匀发射极条间距结构SiGe HBT,在不同偏置条件下均能显著改善有源区温度分布。随着偏置电流IC的增加,非均匀发射极条间距结构SiGe HB...
A waveguide-integrated photodetector is hybrid packaged with an HBT-DEMUX into a receiver module for system experiments. The pin-DEMUX module has demonstrated an excellent RF behaviour at bit rates up...
用同位旋相关的量子分子动力学模型模拟了丰中子弹核引起(Be同位素)的核反应 的中子-质子动量关联函数(即HBT), 我们发现在小相对动量的中子-质子的HBT敏感于弹核的结合能, 同时质子--晕中子的HBT依赖于核的单中子分离能. 我们还研究了核态方程和介质中核子--核子截面的对HBT的影响.
SiGe/Si HBT的直流特性分析           2007/7/28
期刊信息 篇名 SiGe/Si HBT的直流特性分析 语种 中文 撰写或编译 作者 张时明 第一作者单位 刊物名称 北工大学报 页面 1995年第22卷第四期 出版日期 1995年 月 日 文章标识(ISSN) 相关项目 SiGe/Si异质结超高速微电子和红外光电子的器件和集成
期刊信息 篇名 电子束蒸发二氧化硅膜在SiGE/Si HBT中的应用研究 语种 中文 撰写或编译 作者 邹德恕,陈建新 第一作者单位 刊物名称 半导体技术 页面 1996,2,42-44 出版日期 1996年 月 日 文章标识(ISSN) 相关项目 SiGe/Si异质结超高速微电子和红外光电子的器件和集成
SiGe/Si异质结双极晶体营(HBT          2007/7/28
奖励信息 奖励名称 SiGe/Si异质结双极晶体营(HBT) 完成人 沈光地,吴德馨,邹德恕,陈建新 完成单位 推荐单位 授奖机构 授奖日期 1996年 月 日 奖励种类 北京工业大学 奖励等级 奖励编号 相关项目 SiGe/Si异质结超高速微电子和红外光电子的器件和集成
按比例缩小SiGe HBT能量传输模型。
利用理想高斯源的两粒子关联函数,对单高斯源和双高斯源的两π介子HBT关联效应进行了研究,得出了相应的半径参数和A参数.结果表明,半径参数主要取决于高能重离子碰撞中多数π介子产生的中间区域;对产生π介子的边缘区域的空间分布形状不敏感.在边缘区域内产生的π介子主要影响A参数的变化.π介子源空间分布的非高斯形是导致λ参数减少的一个重要因素. The HBT radius parameters and ...
This paper presents the design of a 16/17 dualmodulus prescaler with maximum operating frequency of 30 GHz. The differential emitter-coupled logic (ECL) is employed to achieve high operating frequenci...

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