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中国科学院上海硅酸盐研究所专利：一种磁控溅射制备高表面质量HfO2基混合薄膜的方法。
20223年5月24，中国科学院上海光学精密机械研究所薄膜光学实验室与高功率激光物理联合实验室开展合作研究，在基于HfO2-Al2O3混合材料的皮秒激光反射镜研究方面取得进展。相关研究成果发表于《光学材料快报》（Optical Materials Express）。
近日，微电子所微电子器件与集成技术重点实验室刘明院士的科研团队在HfO2基铁电存储器研究领域取得了进展，提出了一种基于Hf0.5Z0.5rO2（HZO）材料的铁电二极管（Fe-diode），并实现了三维集成。 铁电存储器具有高速、低功耗、高可靠性的优点，是下一代非挥发性存储器的有力竞争者之一。然而，传统铁电材料与标准CMOS工艺兼容性差问题和尺寸微缩难的问题制约着铁电存储器的发展。2011年，掺杂...
0.5 μm栅长HfO2栅介质的GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管
高电子迁移率晶体管 氮化镓 栅电流 射频特性
2017/8/22
为了抑制GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的栅极漏电,提出了一种0。5 μm栅长的GaN金属氧化物半导体(MOS)高电子迁移率晶体管结构。该结构采用势垒层部分挖槽,并用高介电常数绝缘栅介质的金属氧化物半导体栅结构替代传统GaN HEMT中的肖特基栅。基于此结构制备出一种GaN MOSHEMT器件,势垒层总厚度为20 nm,挖槽深度为15 nm,栅介质采用高介电常数的HfO2,器件栅长为0。5 μ...
利用电子束蒸发技术制备了氧化铪薄膜，并分别用氧气氛下退火和激光预处理两种后处理方法对样品进行了处理。介绍了两种后处理工艺和相关的设备，测试分析了样品的透过率、吸收和抗激光损伤阈值。对比了两种后处理方法对降低吸收和提高激光损伤阈值的效果，讨论了它们的作用原理。实验结果表明，激光预处理能有效降低样品的吸收值，提高样品的抗激光损伤阈值。采用一步法（50%初始损伤阈值）预处理后，三倍频氧化铪薄膜的损伤阈值...
HfO2薄膜折射率非均质性生长特性研究
光学薄膜 电子束蒸发 HfO2薄膜 折射率非均质性
2016/8/12
在加热的BK7基板上,采用电子束蒸发(EB)工艺制备了一系列不同厚度的HfO2单层膜,对HfO2薄膜生长过程中的折射率非均质性进行了研究。光谱分析表明薄膜非均质性与其厚度息息相关。X射线衍射(XRD)测试表明不同非均质性薄膜对应不同的微观结构;薄膜的微观结构主要由薄膜的生长机制决定。当膜厚较薄时,薄膜不易结晶,呈无定形态,此时薄膜呈正非均质性。如果沉积温度足够高,则薄膜达到一定厚度后开始结晶,此后...
Analysis of Ultra-Thin HfO2/SiON/Si(001): Comparison of Three Different Techniques
Analysis of Ultra-Thin HfO2/SiON/Si(001): Comparison of Three Different Techniques
2010/9/17
Composition depth profiling of HfO2 (2.5 nm)/SiON (1.6 nm)/Si(001) was performed by three diffetent analytical techniques: high-resolution Rutherford backscattering spectroscopy (HRBS), angle-resolve...
具有辐射聚合能力的HfO2/SiO2溶胶-凝胶玻璃的制备及其X射线光刻性能研究
HfO2/SiO2 溶胶-凝胶 辐射聚合 光栅
2009/11/16
采用溶胶-凝胶方法制备了一种新颖的具有辐射聚合能力的HfO2/SiO2凝胶薄膜. 并采用X射线作曝光光源对薄膜进行了曝光, 通过FTIR的测试, 分析了薄膜曝光前后的结构变化. 结果表明, 该材料具有良好的辐射聚合能力. 采用XPS分析了薄膜的成分, 并证实了Hf元素的存在. 用椭偏仪测试了薄膜的折射率, 结果证实, 加入HfO2提高了体系的折射率. 利用其辐射聚合能力, 采用X射线通过掩模板进行...
沉积工艺和离子后处理对HfO2薄膜残余应力的影响
残余应力 HfO2薄膜 电子束蒸发
2009/9/17
采用电子束直接蒸发氧化铪和反应蒸发金属铪两种沉积工艺制备了单层HfO2薄膜，并用氧等离子体对薄膜进行了离子后处理. 利用ZYGO Mark Ⅲ-GPI数字波面干涉仪对HfO2薄膜的残余应力进行了研究，讨论了不同沉积工艺和离子后处理对残余应力的影响. 实验结果表明：两种沉积工艺下沉积的薄膜皆为张应力，反应蒸发金属铪制备的薄膜应力较小；经过离子后处理，直接蒸发薄膜的应力明显减小，而反应蒸发薄膜的应力稍...
多脉冲532nm激光作用下HfO2/SiO2高反膜的损伤发展
HfO2/SiO2 高反膜 损伤阈值 多脉冲
2009/9/17
利用电子束蒸发沉积技术在K9 玻璃基片上制备了中心波长为532nm的HfO2/SiO2 高反膜，
研究了1-on-1 模式下的损伤行为，并根据ISO11254-1.2 标准确定了该薄膜的激光损伤阈值；研究了
该薄膜在多脉冲532nm 激光作用下的损伤发展过程. 损伤形貌和损伤深度的研究表明, 多脉冲激光
作用下的损伤行为本质上和1-on-1 模式是相同的，都是缺陷诱导激光损伤；同时，存在一个...
研究了电子束蒸发制备的HfO2/SiO2高反膜在1 064 nm与532 nm激光辐照下的损伤行为。基频激光辐照时损伤形貌主要为节瘤缺陷喷溅留下的锥形坑，当能量密度较大时出现分层剥落；二倍频激光损伤主要是由电子缺陷引起的平底坑，辐照脉冲能量密度稍高时也会产生吸收性缺陷引起的锥形坑，但电子缺陷的损伤阈值更低；随着辐照脉冲能量密度的增大分层剥落逐渐成为主要的损伤形貌。分析认为，辐照激光波长的变化，引起...
离子束辅助工艺中APS源偏转电压对HfO2薄膜性能的影响
薄膜 离子束辅助 反应沉积 偏转电压
2009/8/21
基于Leybold APS1104镀膜系统，采用离子束辅助反应沉积技术，以金属Hf粒为初始镀膜材料，APS源偏转电压为50~140 V范围内,在［100］单晶硅片和紫外石英（JGS1）基板上制备了HfO2单层膜。分别利用Lambda 900分光光度计、X射线光电子能谱仪、X射线衍射仪以及原子力显微镜对HfO2薄膜的光谱性能、表面及纵向化学成分、晶相结构以及表面粗糙度进行了分析。结果表明：当APS源...
氧分压对HfO2薄膜残余应力的影响及有限元分析
电子束蒸发 残余应力 氧分压
2009/8/21
利用电子束蒸发法制备了单层HfO2膜，控制氧气流量从0 mL/min以步长5 mL/min递增至25 mL/min(标况下)。利用ZYGO干涉仪测量基片镀膜前后的面形变化，代入Stoney公式计算出残余应力，分析了不同氧压下残余应力的变化情况。随着氧压的增大，残余应力由张应力逐渐过渡到压应力，当氧压过大时，压应力减小。因此可以通过改变氧压来控制应力。应力的变化与薄膜的微观结构密切相关，分析了所有样...
采用HfO2/SiO2溶胶-凝胶薄膜制备衍射光栅
信息光学 HfO2/SiO2溶胶-凝胶 光栅
2009/8/14
采用溶胶-凝胶方法制备了具有光敏性的HfO2/SiO2溶胶-凝胶薄膜,并利用其光敏性制备了衍射光栅.采用XPS分析了薄膜的成份,证实了Hf元素的存在.并用椭偏仪测试了薄膜的折射率,结果证实了HfO2的加入确实提高了体系的折射率.利用其光敏性,采用X射线作曝光光源通过掩模进行曝光,利用曝光部分与未曝光部分的溶解度差,在薄膜上制备了高为0.8 μm、周期为1 μm的衍射光栅.