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近红外发光（NIR，700-2500 nm）微二极管（micro-LED）在生物传感、虚拟现实/增强现实（VR/AR）、遥感和光通讯等领域具有重要应用价值。传统近红外荧光粉存在颗粒尺寸大、发光效率低、发光稳定性差或含重金属有毒元素（Cd2+和Pb2+）等问题，极大地限制了其在micro-LED领域的应用。因此，发展一类无毒高效的近红外纳米荧光粉具有重大意义。
显示行业发展的过程是不断拔高视觉感官体验阈值的过程，Micro LED凭借其自发光、高效率、低功耗、高稳定等特性，逐渐成为未来显示行业的发展趋势。然而，现阶段Micro LED 仍存在许多技术瓶颈有待突破，其中利用巨量转移方式制作Micro-LED显示屏目前仍主要采用侧向结构Micro-LED芯片，但侧向结构在分辨率和发光面积上有所限制。而垂直结构LED器件相比侧向结构LED在亮度及发光均匀性上更...
近日，长春光机所应光室梁静秋研究员团队与北京理工大学钟海政教授团队合作开发了微孔阵列填充技术对钙钛矿量子点进行图案化，成功制作了最小像素尺寸为2 μm的量子点色转换层，并通过套刻工艺实现双色量子点色转换层的制备。以上工作以“Micropore Filling Fabrication of high resolution patterned PQDs with a pixel size less t...
Micro-LED具有优越的性能，应用于微型显示器、可见光通信、光学生物芯片、可穿戴设备和生物传感器等领域。目前，Micro-LED显示的技术挑战是如何获得高分辨率和高像素密度。像素尺寸缩小、芯片的周长面积比增大，导致侧壁的表面复合增多，非辐射复合速率变大，从而致使光电效率下降。器件制备过程中的ICP刻蚀，加重了侧壁缺陷。另外，对于磷化Micro-LED，在较高的驱动电流下，热刺激LED的多量子阱...
Micro-LED以其优越的性能被应用于微型显示器、可见光通信、光学生物芯片、可穿戴设备和生物传感器等诸多领域。目前，Micro-LED显示的技术挑战是如何获得高分辨率和高像素密度。由于像素尺寸缩小，芯片的周长面积比增大，导致侧壁的表面复合增多，非辐射复合速率变大，从而导致光电效率下降。器件制备过程中的ICP刻蚀，加重了侧壁缺陷。另外，对于磷化Micro-LED，在较高的驱动电流下，热刺激LED的...
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所在Micro-LED量子点色转化阵列器件研究方面取得新进展（图）
Micro-LED 量子点色转换阵列 Micro-LED全彩化 钙钛矿量子点
2022/4/21
Micro-LED显示技术具有高亮度、高对比度、高分辨率、低功耗、长寿命等优点，被认为是继LCD和OLED之后下一代显示技术。然而其大规模商业化还面临着技术不成熟、成本高等难题。其中一个很大的技术瓶颈是如何实现Micro-LED的全彩化。虽然已经有几种巨量转移技术方案比如弹性印章转印、静电转印等来解决这些问题并取得了很大的成功，但制造能满足AR/VR应用的高分辨率全彩Micro-LED显示器仍然是...
近日，由南方科技大学电子系、香港科技大学先进显示与光电子国家重点实验室、中科院苏州纳米所组成的联合攻关团队在深紫外Micro-LED与超宽色域显示技术领域取得进展，相关结果发表于电子领域顶级期刊IEEE Electron Device Letters。
近日，复旦大学信息科学与工程学院副教授田朋飞团队与台湾交通大学、电子科技大学相关团队合作，围绕Micro-LED显示全彩化关键技术撰写综述文章“Growth, transfer printing and colour conversion techniques towards full-colour micro-LED display”（https://doi.org/10.1016/j.pqua...