搜索结果: 1-15 共查到“SiGe”相关记录30条 . 查询时间(0.083 秒)
支气管哮喘患者呼出气一氧化氮与过敏原sIgE的相关性分析
哮喘 一氧化氮 过敏原 相关性
2020/6/24
探讨支气管哮喘 (哮喘)患者呼出一氧化氮 (FeNO)与过敏原特异性IgE (sIgE)水平相关性。方法 选取2017年3月~2018年4月西宁市第一人民医院诊治哮喘患者118例作为研究对象,检测患者FeNO、过敏原sIgE、总IgE水平,根据FeNO检测水平将患者分为FeNO阳性组和FeNO阴性组,比较2组患者真菌类过敏原sIgE、户尘螨sIgE及总IgE水平,采用Pearson分析FeNO和过...
Si和SiGe三极管Early效应模型及在电路仿真器中的应用综述
Early效应 三极管 SPICE 积分电荷控制关系
2016/12/29
Early效应作为表征双极器件关键性能的因素之一,影响输出跨导、传输电流、基区渡越时间、电流增益、扩散电容等器件特性.本文从Early效应的基本定义出发,综述了Early电压的起源,模型的发展及其在Si和SiGe电路仿真器中的应用.具体为:(1)综述了Si三极管中的基本模型及在SPICE中处理过程,然后针对SPICE的缺陷,描述了VBIC模型中针对Early效应的改进.(2)由于SPICE和VBI...
SiGe/Si单光子雪崩光电二极管仿真
单光子雪崩光电二极管 SACM-APD 电场分布 量子效率 仿真分析
2016/8/2
通过理论模拟CMOS工艺兼容的SiGe/Si 单光子雪崩二极管,研究并讨论了掺杂条件对于电场分布、频宽特性、以及器件量子效率的影响。设计出具有浅结结构、可在盖革模式下工作、低击穿电压(30 V)的1.06 μm单光子技术雪崩光电二极管。器件采用分离吸收倍增区结构,其中Si材料作为倍增区、SiGe材料作为吸收区,这充分利用了硅材料较高的载流子离化比差异,降低了器件噪声;在1.06 μm波长下,SiG...
SiGe Millimeter-Wave (W-Band) Down-Converter for Phased Focal Plane Array
down-conveter phase focal plane array match networks
2014/12/8
A millimeter-wave (W-Band) down-converter for Phased Focal Plane Arrays (PFPAs) has been designed and fabricated using the IBM Silicon-Germanium (SiGe) BiCMOS 8HP process technology. The radio frequen...
绝缘层上应变SiGe沟道p-MOSFET电学特性模拟分析
SGOI p-MOSFET Ge合金组分
2013/9/23
利用数值模拟软件ISE TCAD对绝缘层上应变SiGe(SGOI)和Si(SOI)p-MOSFET的电学特性进行了二维数值模拟.计算结果表明，与传统的SOI p-MOSFET相比，SGOI p-MOSFET的漏源饱和电流几乎要高出两倍; 其亚阈值电流要高出1～3个数量级.Ge合金组分作为应变SiGe沟道MOSFET的重要参数，就不同Ge合金组分对SGOI p-MOSFET的电学特性的影响也进行了较...
一种2.4 GHz全集成SiGe BiCMOS功率放大器
SiGe BiCMOS 功率放大器 全集成 自适应偏置
2011/12/23
针对2.4 GHz 802.11 b/g无线局域网(WLAN)的应用，该文设计了一种单片全集成的射频功率放大器(PA)。由于在自适应偏置电路中采用异质结晶体管(HBT)和电容构成的简单结构提高PA的线性度，因此不增加PA的直流功耗、插损和芯片面积。在基极偏置的DC通路中采用电阻负反馈实现温度稳定功能，有效避免热崩溃的同时不引起射频损耗。采用了GRACE 0.18 μm SiGe BiCMOS 工艺...
Magnetoresistivity and Acoustoelectronic Effects in a Tilted Magnetic Field in $p$-Si/SiGe/Si Structures with an Anisotropic $g$ Factor
Magnetoresistivity Acoustoelectronic Effects
2010/11/25
Magnetoresistivity xx and xy and the acoustoelectronic effects are measured in p-Si/SiGe/Si
with an impurity concentration p = 1.99 × 1011 cm−2 in the temperature range 0.3–2.0 K and an tilte...
Orientation dependence of the elastic instability on strained SiGe films
Orientation dependence elastic instability strained SiGe films
2010/11/23
At low strain, SiGe films on Si substrates undergo a continuous nucleationless morphological evolution known as the Asaro-Tiller-Grinfeld instability. We demonstrate experimentally that this instabili...
Strain determination in the Si channel above a single SiGe island inside a field effect transistor using nanobeam x-ray diffraction
Strain determination Si channel field effect transistor
2010/11/24
SiGe islands are used to induce tensile strain in the Si channel of Field E ect Transistors to achieve larger transconductance and higher current driveabilities. We report on x-ray di raction experime...
基于Optiwave的脊形SiGeOI光波导结构设计
SiGe-OI脊形光波导 有效折射率 结构参量
2009/8/27
利用有效折射率的数值解法，计算出了SiGeOI脊形光波导的有效折射率.通过对SiGeOI光波导结构参量的理论分析和计算，得到了SiGeOI脊形光波导传输单模光波时内外脊高H，h及脊宽W的尺寸.通过Optiwave软件对SiGeOI脊形光波导进行建模仿真，验证了理论分析和计算的正确性.
State of the Art for Differential Circuits in Wireless Transceivers: A New Wideband Active Balun in SiGe BiCMOS Technology
Active Balun Current Conveyors Differential Analogue Circuits
2009/7/28
The aim of this paper is 3-fold: firstly, to provide a comprehensive overview of the use of differential circuits for analogue signal processing in wireless transceivers; secondly, to describe, in det...
SiGe HBT低噪声放大器的设计与制造
硅锗异质结双极晶体管 低噪声放大器 单片集成 噪声系数
2011/5/17
该文设计和制作了一款单片集成硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)低噪声放大器(LNA)。由于放大器采用复合型电阻负反馈结构，所以可灵活调整不同反馈电阻，同时获得合适的偏置、良好的端口匹配和低的噪声系数。基于0.35 μm Si CMOS平面工艺制定了放大器单芯片集成的工艺流程。为了进一步降低放大器的噪声系数，在制作放大器中SiGe器件时，采用钛硅合金(TiSi2)来减小晶体管基极电阻。由于没有...
将6只美洲大蠊全虫用液氮研磨提取粗浸液，用阴离子交换剂（DEAE, Sephadex A-50）纯化后测定蛋白浓度，并配制成不同浓度梯度，分别将粗浸液及纯化后的不同浓度变应原点于硝酸纤维膜（NC膜）上，依次加入不同蟑螂过敏患者血清、生物素-亲和素系统的IgE二抗和辣根过氧化物酶（HRP），以及鲁米诺化学发光底物进行化学发光反应。结果表明，化学发光免疫法可检测美洲大蠊粗浸液最低蛋白浓度为0.87 μ...
高热稳定性多发射极功率SiGe HBT的研制
SiGe 异质结双极晶体管 功率
2009/1/30
成功研制出具有非均匀发射极条间距结构的多发射极功率SiGe 异质结双极晶体管（HBT），用以改善功率器件热稳定性。实验结果表明，在相同的工作条件下，与传统的均匀发射极条间距结构HBT相比，非均匀发射极条间距结构HBT的峰值结温降低了15.87K。对于同一个非均匀发射极条间距结构SiGe HBT，在不同偏置条件下均能显著改善有源区温度分布。随着偏置电流IC的增加，非均匀发射极条间距结构SiGe HB...
Demonstration of 10.3-Gbit/s Burst-mode CDR employing 0.13 um SiGe BiCMOS Quad-rate sampling IC and Data-phase decision-algorithm for 10Gbps-based PON Systems
Burst-mode CDR SiGe BiCMOS Quad-rate sampling IC Data-phase decision-algorithm PON Systems
2015/8/6
We present a new 10Gbps-based PON burst-mode CDR with a 0.13 um BiCMOS quad-rate sampling IC and decision-algorithm for optimum recovery-data selection.Instantaneous burst-mode recovery of the first b...