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中国科学院深圳先进技术研究院专利：CdTe/ZnSe量子点的制备方法
2022年12月19日，中国科学院上海光学精密机械研究所薄膜光学实验室在ZnSe薄膜非线性光学极化率的波长依赖性研究方面取得进展。相关成果以“Wavelength dependence of nonlinear optical susceptibility of ZnSe nanocrystalline film”为题发表在Optical Materials上。
利用"时-空耦合策略"在金黄色葡萄球菌内制得ZnSe量子点，从而将金黄色葡萄球菌转变成为荧光细胞.采用透射电子显微镜（TEM）、原子力显微镜（AFM）、动态光散射（DLS）、紫外-可见吸收光谱和荧光发射光谱等对从细胞内提取出的ZnSe量子点进行了表征.结果表明，提取出的ZnSe量子点粒径均一、分散性好，平均粒径为（2.96±0.76） nm，具有良好的荧光性质，最大荧光发射波长为537 nm.
Ag:InP/ZnSe纳米晶的合成与生物成像
Ag:InP/ZnSe 纳米晶 近红外荧光 生物成像
2019/1/22
采用高温热注入法，以P[N（CH3）2]3为磷源合成了具有近红外荧光的Ag：InP/ZnSe纳米晶.采用紫外-可见-近红外吸收光谱（UV-Vis-NIR）、荧光光谱、透射电子显微镜（TEM）、X射线衍射（XRD）等对产物的结构和光学性质进行了表征，并分析了Ag掺杂浓度和温度对InP纳米晶荧光性能的影响.通过调节Ag掺杂浓度和反应温度，发现当Ag掺杂量为6%，反应温度为200℃时，Ag：InP纳米晶...
3~5 μm中红外激光处于大气传输窗口,在分子光谱学、环境遥感、工业加工、空间通讯、光电对抗等领域有重要的应用前景。过渡金属掺杂II-VI族硫化物晶体可以直接实现中红外激光输出,是最有前途的技术途径之一。具有优良物理特性和光谱特性的Fe:ZnSe晶体是高效、宽带可调谐中红外激光介质的有力竞争者,介绍并分析了Fe:ZnSe晶体的光谱特性及其制备方法,综合评述了Fe:ZnSe激光技术的发展历程和最新研...
退火温度对聚对苯乙炔MOPPV-ZnSe量子点复合材料太阳电池性能影响
量子点 复合材料 退火温度 转换效率
2013/11/30
利用原位缩合法制备了聚(2-甲氧基-5辛氧基)对苯乙炔(MOPPV)-ZnSe量子点复合材料,通过对复合材料的X射线衍射、透射电子显微镜、扫描电子显微镜、紫外可见吸收光谱等研究,发现聚合物MOPPV与ZnSe量子点以包覆形式有效地复合在一起,复合材料中ZnSe量子点结晶性良好,尺寸约为4 nm;且两者之间发生光诱导电荷转移,复合材料随着退火温度的升高,其吸收光谱范围发生红移。通过对MOPPV-Zn...
将CdSe/ZnSe/ZnS量子点掺入到聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)中,研究了量子点的发光下转移特性。将420 nm长波滤光片盖在单晶电池上,使电池对300~420 nm波段光谱响应几乎为零,同时排除下转移层抗反射效应的影响,再在滤光片表面制备下转移层,观察到了外量子效率(EQE)值的提升,说明所用量子点可以应用于对300~420 nm波段光谱响应几乎为零的电池上实现频率的下转移,提高EQE。对量...
将CdSe/ZnSe/ZnS量子点掺入到聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)中,研究了量子点的发光下转移特性。将420 nm长波滤光片盖在单晶电池上,使电池对300~420 nm波段光谱响应几乎为零,同时排除下转移层抗反射效应的影响,再在滤光片表面制备下转移层,观察到了外量子效率(EQE)值的提升,说明所用量子点可以应用于对300~420 nm波段光谱响应几乎为零的电池上实现频率的下转移,提高EQE。对量...
ZnSe∶Cu/CdS核壳量子点的合成及光学性能研究
量子点 ZnSe∶Cu ZnSe∶Cu/CdS 核壳结构
2013/9/28
以CdS为壳层材料对核水溶性ZnSe:Cu量子点进行包覆,得到ZnSe:Cu/CdS核壳结构的量子点。 研究了壳层厚度对ZnSe:Cu量子点光学性能的影响,采用TEM、XRD、PL和UV-Vis手段对所得样品进行表征。 实验结果表明:量子点为立方闪锌矿结构,分散性好,形状为球形,经壳层修饰后量子点的粒径由2.7 nm增大到4.0 nm。 随着包覆CdS壳层数的增加,量子点的发射和紫外吸收谱红移,说...
ZnSe / ZnS Quantum-Dot Semiconductor Optical Amplifiers
Linear Absorption Coefficient Linear Emission Coefficient Rate Equations (Res) Noise Figure
2013/1/30
ZnSe quantum dot (QD) semiconductor optical amplifier (SOA) is studied theoretically using net gain for linear Absorption coefficient and linear emission and these results are used to calculate noise ...
基于ZnSe/Ag/ZnSe可见区透明导电薄膜
透明导电薄膜 ZnSe Ag 功函数
2011/8/11
利用红外光学材料ZnSe和金属Ag在室温下采用电子束蒸发镀膜技术研制了透明导电薄膜ZnSe/Ag/ZnSe,该薄膜的电子浓度为1.208×1020 cm－3,电子迁移率和电阻率分别为17.22 cm2 V－1 s－1和2.867×10－5 Ω·cm,功函数达到5.13 eV,在可见区的平均透过率理论模拟值超过80%,而测量结果为63.8%,测量的最高透过率为83%.结果表明,该透明导电薄膜具有良好...
Photon Antibunching and Magnetospectroscopy of a Single Fluorine Donor in ZnSe
Photon Antibunching Magnetospectroscopy Single Fluorine Donor ZnSe
2010/10/19
We report on the optical investigation of single electron spins bound touorine donor impurities in ZnSe.Measurements of photon antibunching establish the presence of single, isolated optical emitters,...
微波法制备Mn2+掺杂ZnSe纳米材料及谱学性能研究
微波合成 过渡金属掺杂 纳米ZnSe 发光性能
2011/4/27
过渡金属掺杂的Ⅱ-Ⅳ族纳米材料有望替代CdSe类量子点作为新型的荧光标记物而受到广泛关注。利用微波加热法的体加热特点，以不同有机胺为配体溶剂，控制反应条件，制备了Mn2+掺杂的ZnSe纳米材料，并分别利用TEM、EDS、荧光光谱等手段对其形貌、结构和性能的关系进行了探索。Mn2+掺杂的纳米ZnSe粒子为200～500 nm的球形粒子，表面平整，为单晶的纤锌矿结构。掺杂后纳米粒子的发射峰显示Mn2+...