搜索结果: 16-30 共查到“效应”相关记录47条 . 查询时间(0.558 秒)
中国科学院南京土壤研究所专利：一种基于类型单元土壤属性变异幅度效应的样点布设方法。
近日，广东省农业科学院农业质量标准与监测技术研究所在国际学术期刊Pedosphere（大类一区），发表了题为“Time effect of rice straw and engineered bacteria on reducing exogenous Cu mobility in three typical Chinese soils”的研究论文。广东省农业科学院农业质量标准与监测技术研究所石含...
近自然森林经营已成为杉木人工林长期生产力维护的重要途径之一。根际区作为植物吸收水分和养分并与土壤基质相互作用的门户，在植物生命和土壤生态系统中起着举足轻重的作用。根际土壤的性质在很大程度上取决于土壤、植物和根际微生物的相互作用，而根际微生物的结构和功能多样性往往受到植物物种的影响。
A line search penalty-free sequential quadratic programming method is proposed for nonlinear equality-constrained optimization. Generally, feasible directions are used to minimize the measurement of t...
兼具大变形和高水平力电耦合效率的材料及器件在航天航空、重大装备、绿色能源等领域中具有重要的应用前景，如在大型卫星天线的在轨展开和服役状态监测、低附加刚度力学量传感器以及机械能量俘获等。以压电效应为代表的新型力—电耦合效能不断取得重大突破，为上述需求提供了有效的解决方案；在应用中，对材料选择、服役温度范围、力学参数等方面不断提出了更加严苛的要求，因此发展兼具大变形和高水平力电耦合效率的材料和器件具有...
研究揭示碳纳米管器件和电路单粒子效应机理（图）
碳纳米管器件 电路 单粒子效应机理
2023/4/23
“十四五”和未来我国深空和太阳系边界探测等航天任务实施对宇航用集成电路在恶劣复杂的深空辐射环境下的抗辐射能力提出了严苛要求，元器件的抗辐射能力成为制约深空探测任务设计的关键因素之一。碳基信息电子器件具有高迁移率、超薄、高热导率等优异的物理性能，是下一代先进半导体器件典型代表，也是我国自主可控发展集成电路技术的重要选择。国内外已有研究报道，碳基器件天然具有较强的抗总剂量能力，可满足深空探测任务对芯片...
地处黄河流域中游的黄土高原在我国经济社会发展和生态安全方面具有十分重要的地位，也是黄河流域生态保护和高质量发展重大国家战略重点关注区域。为改善黄土高原植被覆盖状况，治理水土流失，国家自20世纪90年代开始实施退耕还林（草）工程。该工程实施二十多年以来，大量坡耕地被转化为草地和林地，区域植被覆盖水平明显提高，入黄泥沙大幅降低。植被建设可通过改变土地利用类型、植被覆盖度和地表反照率等对黄土高原水文气候...
北京大学轻元素材料研究团队发现核量子效应诱导的全新二维冰相（图）
核量子效应 全新二维冰相 对称氢键
2022/7/20
近日，北京大学物理学院、轻元素先进材料研究中心江颖教授、陈基研究员、王恩哥院士与北京师范大学化学学院郭静教授等合作，通过调控氢原子核的量子效应，首次在常压下实现含有对称氢键构型（Zundel构型）的二维冰，得到了一种由核量子效应催生和稳定的全新物态。2022年7月15日，相关研究成果以“金属表面单层水中Eigen/Zundel阳离子及其相互转换的直接成像”（Visualizing Eigen/Zu...
近日，北京大学物理学院、核物理与核技术国家重点实验室付恩刚团队和北京科技大学吕昭平团队合作，在辐照缺陷湮灭机制方面另辟蹊径，发现了共格纳米粒子湮灭缺陷行为，揭示了其循环溶解再析出的缺陷湮灭机制，提出了一种通过设计具有晶格失配小、成分容差大的高密度纳米粒子，可大幅提高材料抗辐照肿胀能力的新思路和新策略。2022年5月30日，相关成果以“通过共格超晶格的可逆无序有序转换实现超高抗辐照性能”（Super...
发展先进核能系统是我国实现“双碳“目标和解决能源危机的重大需求和重要战略。长期以来，设计高抗辐照材料的主流和传统策略是在材料中引进界面，但是，高温高剂量辐照导致的界面不稳定、辐照缺陷随着辐照剂量的进一步增加而逐渐累积并最终导致材料的失效等，是迄今未突破的瓶颈问题。
复旦大学参与的ALICE实验组首次直接观察到强相互作用的死角效应
ALICE实验组 强相互作用 死角效应
2022/6/30
近日，位于欧洲核子中心（CERN）的大型强子对撞机（LHC）上的ALICE实验组在13 TeV的质子-质子碰撞中首次观测到了强相互作用的一种基本特性——“死角效应(Dead cone effect)”，论文发表在《Nature》上（https://doi.org/10.1038/s41586-022-04572-w）。5月31日，LHC召开了专题报告会介绍这一研究：https://indico.c...
清华大学物理系在非厄米拓扑效应研究中取得进展（图）
非厄米系统 拓扑效应 增益-耗散诱导 杂化趋肤-拓扑效应
2022/7/19
近日，清华大学物理系刘永椿副教授等人在非厄米系统中发现了增益-耗散诱导的杂化趋肤-拓扑效应，以及拓扑趋肤模式之间的宇称-时间相变。研究成果以“Gain-loss-induced hybrid skin-topological effect”为题发表于《物理评论快报》（Physical Review Letters）。
近日，等离子物理与聚变工程系“多途径磁约束核聚变研究中心”的博士生祖一鸣，在毛文哲和兰涛副教授的指导下，针对科大一环（KTX）等离子体三维平衡中的发电机效应进行了一系列的模拟研究工作，取得重要进展。相关成果发表在Plasma Physics and Controlled Fusion期刊(Yiming Zu et al 2022 Plasma Phys. Control. Fusion64 065...
场效应晶体管（FET）是半导体芯片的核心部件，其尺寸大小决定了芯片的集成密度。而FET晶体管的终极物理尺寸，很大程度上取决于在栅极处Si/SiO2界面的结构和性能：界面的尺寸过大会导致集成度降低，芯片性能下降；界面的尺寸小，晶体管中源极到漏极之间的电流会受到量子隧穿效应的影响，导致明显的漏电和高的能耗。当前芯片中晶体管的栅极长度（即源极到漏极间的距离）实际上已经达到了几纳米的尺寸，如台积电最新的5...
2022年4月12日，复旦大学魏大程团队在Chemical Reviews（影响因子60.622）上在线发表题为“二维场效应晶体管传感器：通往商用化之路（Two-Dimensional Field-Effect Transistor Sensors: The Road toward Commercialization）”的综述论文，总结了二维场效应晶体管传感器的理论和实验进展，并评述了其在商业化进...