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近日，我院龙世兵教授课题组在ZrO2介质电容器原子层沉积(ALD)制备研究方面取得了新的进展。近年来DRAM特征尺寸逐步微缩，保持电容器的高电容值和低漏电的需求日益紧迫，对high-k低漏电介质材料的制备要求日益增高，高性能电容器制备成为阻碍DRAM技术更进一步的关键问题。本工作提出了一种全新的“短脉冲-高通氧量”的ALD生长方式，调控介质中锆氧比例，提高了介质k值，同时降低了漏电。相关成果以“O...
中国科学院金属研究所专利： 大块致密配比精确可控的Y2Si2O7/ZrO2陶瓷复合材料的制备方法
中国科学院金属研究所 专利 致密配比 精确可控 Y2Si2O7/ZrO2 陶瓷复合材料
2023/11/16
本发明涉及Y2Si2O7/ZrO2陶瓷复合材料的制备技术,具体为一种大块致密配比精确可控的Y2Si2O7/ZrO2陶瓷复合材料的制备方法。该制备过程由两步组成：(1)先制备Y2Si2O7陶瓷粉末,以Y2O3和SiO2混合物为原料,制备单相Y2Si2O7陶瓷粉末；(2)再在Y2Si2O7陶瓷粉末中加入预定体积份数的氧化锆粉末；上述两种粉末混合后,经球磨混合均匀,再将粉末成型得到生坯进行无压烧结,烧结...
中国科学院金属研究所专利：大块致密配比精确可控的Y2Si2O7/ZrO2陶瓷复合材料的制备方法