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中国科学院微电子所基于SiGe工艺的PLL测试成功
SiGe BiCMOS工艺 微电子
2007/5/8
2007年5月5日，在中国科学院微电子所微波器件与集成电路科研人员的不懈努力下，基于GaAs PHEMT工艺的射频前端下变频模块和基于SiGe BiCMOS工艺的PLL测试双双取得成功，圆满完成了项目一期技术指标。